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SUMMARY:4th EUV-FEL Workshop
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DESCRIPTION:第4回EUV-FELワークショップ開催に際して\n\n\nIoT
  、AI等の活用により、超スマート社会に向けて、情報
 処理デバイスの飛躍的な性能向上が不可欠です。その
 実現のために、微細化技術としてレーザープラズマ（LP
 P）光源を用いたEUV露光技術の開発が長い年月をかけて
 進められて参りました。そしていよいよ、今年度にEUV
 露光技術を用いた半導体チップ生産が開始されました
 。\nhttps://www.samsung.com/semiconductor/minisite/exynos/products/mobile
 processor/exynos-9825/ \n\n今年9月にMonterey（米国）で開催さ
 れた「EUV Lithography 2019」でも、EUV露光技術による量産開
 始が高らかに報告されると同時に、昨年度から急速に
 問題視されてきている「Stochastic Noise」を克服すること
 を勘案して、「EUV Stochastic」のセッションが新設され、
 会議の初日と最終日に２回に分けてこの問題解決のた
 めの議論が行われました。現時点での議論の中心はレ
 ジストの開発と適正露光に関することですが、この現
 象の根幹はショットノイズの影響があることは紛れも
 ない事実です。今後のHigh NA化によるデバイスの微細化
 は続くと予想され、より高い光源出力（1kW以上）の実
 用化が、この「Stochastic Noise」を克服する一つの鍵とな
 るでしょう。高エネルギー加速器を利用した自由電子
 レーザー（FEL）光源は、その大強度光源の有力候補で
 す。また、FEL光源自体の開発に加えて、その光源に適
 応した光学素子・プロセス材料の開発も必要です。\n本
 ワークショップでは、先端半導体を牽引されているキ
 オクシア株式会社の井上壮一技監から先端半導体とパ
 ターニング技術の展開に関するご講演を、また加工用
 レーザーの立場で産業技術総合研究所の佐藤正建グル
 ープ長から産業界への波及を目指すレーザー技術開発
 の二つの基調講演頂きます。また、EUVリソグラフィー
 関連技術、先端加速器技術の動向のご講演を多方面か
 ら頂くことを企画いたしました。\nワークショップを通
 じて、多くの方々に、今後のEUV超高出力光源の展望を
 理解して頂くとともに、その実現に向けてご協力を賜
 れれば幸いです。\n\n\nEUV-FEL光源産業化研究会 代表 石
 原 直\n高エネルギー加速器研究機構 応用超伝導加速器
 センター 河田 洋\n\n \n\nhttps://conference-indico.kek.jp/event/93
 /
LOCATION:Akihabara　UDX NEXT1
URL:https://conference-indico.kek.jp/event/93/
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